[科普中國(guó)]-中子摻雜

中子摻雜是指NTD利用中子擅變的反應(yīng)進(jìn)行半導(dǎo)體材料的摻雜。獲得工業(yè)應(yīng)用的是硅的n型摻雜。

簡(jiǎn)介中子摻雜是指NTD利用中子擅變的反應(yīng)進(jìn)行半導(dǎo)體材料的摻雜。獲得工業(yè)應(yīng)用的是硅的n型摻雜1。

應(yīng)用在硅中同位素硅約占30%，高純硅單晶經(jīng)原子反應(yīng)堆的中子輻照發(fā)生以下反應(yīng)而相當(dāng)于磷摻雜；為了保證輻照均勻，晶體在反應(yīng)堆的孔道中旋轉(zhuǎn)，根據(jù)輻照劑量可預(yù)測(cè)出單晶所得的電阻率值。然后單晶經(jīng)退火(650---900 攝氏度)以消除輻射損傷。

優(yōu)點(diǎn)這種摻雜不受熔體流動(dòng)的影響，故不形成條紋，是最均勻的摻雜方法，其微觀電阻率下均勻性可低達(dá)3%2。

缺點(diǎn)但此法不適于制備低電阻率。因輻照時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，p同位素會(huì)擅變成S，對(duì)晶體性能有害。對(duì)GaAs ,InSb材料的中子摻雜試驗(yàn)表明可以獲得均勻性好，補(bǔ)償度低的材料。

應(yīng)用生產(chǎn)的區(qū)熔硅單晶，有一半以上是采用中子摻雜的3。

本詞條內(nèi)容貢獻(xiàn)者為:

邱學(xué)農(nóng) - 副教授 - 濟(jì)南大學(xué)